트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GWM160-0055X1-SMD

부품 재고: 2839

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM120-0075X1-SL

부품 재고: 2858

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

SI4814BDY-T1-GE3

부품 재고: 2891

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 10.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SIZ998DT-T1-GE3

부품 재고: 24358

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SIA917DJ-T1-GE3

부품 재고: 2760

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI5504DC-T1-E3

부품 재고: 2750

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI4966DY-T1-GE3

부품 재고: 70490

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI1970DH-T1-E3

부품 재고: 2698

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,

SI5943DU-T1-E3

부품 재고: 2795

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SI1035X-T1-GE3

부품 재고: 103062

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, 145mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 400mV @ 250µA (Min),

SI9936BDY-T1-E3

부품 재고: 2912

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SSM6L11TU(TE85L,F)

부품 재고: 2856

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 250MA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA,

EMH2314-TL-H

부품 재고: 198673

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

NTLJD3183CZTBG

부품 재고: 2772

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHC5513T1G

부품 재고: 148927

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVJD5121NT1G

부품 재고: 163473

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6606-TL-E

부품 재고: 2897

EFC6611R-TF

부품 재고: 136094

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTHD3100CT1G

부품 재고: 110314

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDS8958

부품 재고: 2722

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6020C_F077

부품 재고: 2752

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A, 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6036P

부품 재고: 3318

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDD8424H_F085

부품 재고: 2811

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

USB10H

부품 재고: 2674

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-H

부품 재고: 2857

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1A, 4.5V,

MCH6613-TL-E

부품 재고: 167978

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

TMC1340-SO

부품 재고: 2899

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

IRF7755TR

부품 재고: 2921

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7379

부품 재고: 2654

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF5851TRPBF

부품 재고: 2806

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,

IRF8910PBF

부품 재고: 77959

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA,

IRF7102

부품 재고: 2715

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

IRF9953PBF

부품 재고: 2737

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7341PBF

부품 재고: 71794

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

PMGD8000LN,115

부품 재고: 2617

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 125mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,

EPC2102ENG

부품 재고: 2960

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,