트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

PHKD13N03LT,118

부품 재고: 2834

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

SI3911DV-T1-E3

부품 재고: 2792

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI4565ADY-T1-E3

부품 재고: 2757

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 5.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI7945DP-T1-GE3

부품 재고: 2809

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6993DQ-T1-GE3

부품 재고: 2801

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI5905BDC-T1-E3

부품 재고: 2802

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5943DU-T1-GE3

부품 재고: 3377

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5935DC-T1-GE3

부품 재고: 2861

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SI3586DV-T1-GE3

부품 재고: 2865

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

IRF7755GTRPBF

부품 재고: 2770

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7335D1TR

부품 재고: 2727

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7331

부품 재고: 2682

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7316QTRPBF

부품 재고: 3347

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7503TR

부품 재고: 2661

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7343QTRPBF

부품 재고: 2838

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7757TRPBF

부품 재고: 2819

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7304TR

부품 재고: 2707

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,

TPCL4203(TE85L,F)

부품 재고: 3305

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA,

FDG6313N

부품 재고: 2667

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMFD4C88NT1G

부품 재고: 36648

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTLJD2104PTAG

부품 재고: 2796

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA,

FDG6304P_D87Z

부품 재고: 2747

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5489NLT3G

부품 재고: 103434

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EMH2412-TL-H

부품 재고: 2854

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTZD3156CT1G

부품 재고: 2797

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

HUFA76504DK8T

부품 재고: 2775

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4627R-A-TR

부품 재고: 134119

NSTJD1155LT1G

부품 재고: 2852

ECH8659-M-TL-H

부품 재고: 2889

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

NTND31225CZTAG

부품 재고: 21663

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta), 127mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FW282-TL-E

부품 재고: 2908

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V,

VEC2616-TL-H

부품 재고: 2969

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

STS4DPF30L

부품 재고: 107386

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

EPC2102

부품 재고: 24374

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,

SP8M9FU6TB

부품 재고: 2786

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

US5K3TR

부품 재고: 2728

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A,