트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz ~ 960MHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.3GHz ~ 2.4GHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 952.5MHz ~ 957.5MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 16.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 922.5MHz ~ 957.5MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.63GHz ~ 2.69GHz, 이득: 17.4dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 871.5MHz ~ 891.5MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.14GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 8.2A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.14GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 1.3GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 32A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 788.5MHz ~ 823.5MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 11A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.45GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.7dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 25mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 7mA,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 1.2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 13mA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 45MHz, 이득: 28dB, 전압-테스트: 8V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 2.8dB,
