트랜지스터-양극 (BJT)-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 11

2SC2655-Y(T6STL,FM

부품 재고: 7032

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND2,AF

부품 재고: 6995

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND3,AF

부품 재고: 6996

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND1,AF

부품 재고: 6997

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CN,A,F

부품 재고: 7026

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CANOFM

부품 재고: 6951

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(6MBH1,AF

부품 재고: 6790

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(HIT,F,M)

부품 재고: 7001

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(TE6,F,M)

부품 재고: 7046

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O,F(J

부품 재고: 7041

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND2,AF)

부품 재고: 6981

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(T6TOJS,F,M

부품 재고: 6736

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 300V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

부품 재고: 6967

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 300V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y,T6KEHF(M

부품 재고: 6957

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 160V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O,T6ALPF(M

부품 재고: 6977

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 160V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O(T6OMI,FM

부품 재고: 7010

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 160V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 1µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

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