다이오드-제너-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 1

CRZ13(TE85L,Q,M)

부품 재고: 99

전압-제너 (공칭) (Vz): 13V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 9V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ20(TE85L,Q,M)

부품 재고: 140

전압-제너 (공칭) (Vz): 20V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 14V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ36(TE85L,Q,M)

부품 재고: 137

전압-제너 (공칭) (Vz): 36V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 28.8V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRY62(TE85L,Q,M)

부품 재고: 176

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.2V, 공차: ±9.68%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ16(TE85L,Q,M)

부품 재고: 141

전압-제너 (공칭) (Vz): 16V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 11V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ30(TE85L,Q,M)

부품 재고: 172

전압-제너 (공칭) (Vz): 30V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 21V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ24(TE85L,Q,M)

부품 재고: 86

전압-제너 (공칭) (Vz): 24V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 17V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ22(TE85L,Q,M)

부품 재고: 127

전압-제너 (공칭) (Vz): 22V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 16V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ10(TE85L,Q,M)

부품 재고: 153

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 6V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ11(TE85L,Q,M)

부품 재고: 98

전압-제너 (공칭) (Vz): 11V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 7V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ27(TE85L,Q,M)

부품 재고: 114

전압-제너 (공칭) (Vz): 27V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 19V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ18(TE85L,Q,M)

부품 재고: 118

전압-제너 (공칭) (Vz): 18V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 13V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ12(TE85L,Q,M)

부품 재고: 89

전압-제너 (공칭) (Vz): 12V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 8V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ47(TE85L,Q,M)

부품 재고: 142

전압-제너 (공칭) (Vz): 47V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 65 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 37.6V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ15(TE85L,Q,M)

부품 재고: 173943

전압-제너 (공칭) (Vz): 15V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 10V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ43(TE85L,Q,M)

부품 재고: 170

전압-제너 (공칭) (Vz): 43V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 40 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 34.4V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ39(TE85L,Q,M)

부품 재고: 150

전압-제너 (공칭) (Vz): 39V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 35 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 31.2V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ10(TE85L,Q)

부품 재고: 8202

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 6V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ22(TE85L,Q)

부품 재고: 3906

전압-제너 (공칭) (Vz): 22V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 16V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ47(TE85L,Q)

부품 재고: 8171

전압-제너 (공칭) (Vz): 47V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 65 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 37.6V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ30(TE85L,Q)

부품 재고: 8174

전압-제너 (공칭) (Vz): 30V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 21V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ33(TE85L,Q,M)

부품 재고: 5464

전압-제너 (공칭) (Vz): 33V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 26.4V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ12(TE85L,Q)

부품 재고: 8245

전압-제너 (공칭) (Vz): 12V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 8V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ11(TE85L,Q)

부품 재고: 8173

전압-제너 (공칭) (Vz): 11V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 7V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

부품 재고: 152718

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRY82(TE85L,Q,M)

부품 재고: 127852

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 4.9V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

부품 재고: 138193

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.5V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 4.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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CRY91(TE85L,Q,M)

부품 재고: 5349

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

부품 재고: 5364

전압-제너 (공칭) (Vz): 18V, 공차: ±10%, 전력-최대: 700mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 13V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA,

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