FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 720mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 330mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA,
