트랜지스터-JFET | 디스크리트 반도체 제품 | 1

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-Y(TE85L,F)

부품 재고: 198791

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

부품 재고: 405

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

부품 재고: 389

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

부품 재고: 342

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

부품 재고: 340

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

부품 재고: 123563

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

부품 재고: 403

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

부품 재고: 100454

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

부품 재고: 407

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

부품 재고: 9964

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

부품 재고: 177718

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

부품 재고: 9975

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

부품 재고: 3488

FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

부품 재고: 110749

FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA,

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