트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 13dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 11dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 주파수-전환: 550MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, 이득: 17dB ~ 23dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 11dB ~ 16.5dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 10GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, 이득: 13dB ~ 7dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 10GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, 이득: 13dB ~ 7.5dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 주파수-전환: 550MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, 이득: 17dB ~ 23dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 주파수-전환: 550MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, 이득: 23dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 12dB ~ 17dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, 이득: 18dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 6GHz, 이득: 11dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 10GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, 이득: 1.4dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 주파수-전환: 550MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, 이득: 23dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 6V, 주파수-전환: 11.5GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, 이득: 12dB, 전력-최대: 700mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 6V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, 이득: 10.5dB, 전력-최대: 1W,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 5.3V, 주파수-전환: 7.7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, 이득: 10.5dB, 전력-최대: 1.6W,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 5.3V, 주파수-전환: 12.5GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, 이득: 11.8dB, 전력-최대: 800mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, 이득: 16.5dB, 전력-최대: 1.8W,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, 이득: 12dB, 전력-최대: 900mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 5.3V, 주파수-전환: 11.2GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, 이득: 12.5dB, 전력-최대: 900mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 5V, 주파수-전환: 4GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, 이득: 4.5dBi, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual), 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 11.5dB, 전력-최대: 200mW,
