트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 1 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 1 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 100 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 470 Ohms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 1 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,
