트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2SK3566(STA4,Q,M)

부품 재고: 385

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

2SJ168TE85LF

부품 재고: 341

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 10V,

2SJ305TE85LF

부품 재고: 422

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 50mA, 2.5V,

2SK2009TE85LF

부품 재고: 425

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50MA, 2.5V,

2SK3564(STA4,Q,M)

부품 재고: 36814

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

2SK3670,F(M

부품 재고: 2132

2SK3670,F(J

부품 재고: 2216

2SK3670(T6CANO,F,M

부품 재고: 2161

2SK3670(T6CANO,A,F

부품 재고: 2130

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부품 재고: 2179

2SK2989(TPE6,F,M)

부품 재고: 2201

2SK2989(T6CANO,F,M

부품 재고: 2219

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부품 재고: 2169

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부품 재고: 2138

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부품 재고: 6215

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부품 재고: 2169

2SK2962,T6F(J

부품 재고: 2183

2SK2962(TE6,F,M)

부품 재고: 2198

2SK2962,F(J

부품 재고: 2201

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부품 재고: 2178

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2SJ438,Q(J

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부품 재고: 2148

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부품 재고: 6253

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부품 재고: 2179

2SJ438(CANO,Q,M)

부품 재고: 6267

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부품 재고: 2148

2SJ438(AISIN,A,Q)

부품 재고: 2215

2SK2034TE85LF

부품 재고: 2095

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SK2035(T5L,F,T)

부품 재고: 1665

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SK1829TE85LF

부품 재고: 1614

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SK3309(TE24L,Q)

부품 재고: 1621

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

2SK2967(F)

부품 재고: 6205

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V,

2SK4021(Q)

부품 재고: 783

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

2SK4017(Q)

부품 재고: 100330

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 10V,