메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36), 클록 주파수: 933MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Gb (64G x 8),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (1G x 32), 클록 주파수: 2133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPSDR, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 125MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 104MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (512M x 64), 클록 주파수: 2133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - Boot Block, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18), 클록 주파수: 1067MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 512Kb (64K x 8), 클록 주파수: 50MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms, 5ms,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 80MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 128Gb (16G x 8), 클록 주파수: 100MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR4, 메모리 크기: 64Gb (1G x 64), 클록 주파수: 1333MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (64M x 4), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3, 메모리 크기: 32Gb (512M x 64), 클록 주파수: 933MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
