기억

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MT47H64M8B6-25E IT:D TR

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MT47H64M8B6-25:D TR

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MT47H64M8B6-5E IT:D TR

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MT47H32M16BN-25:D TR

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MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 4Tb (512G x 8), 클록 주파수: 333MHz,

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MT47H64M8B6-37E IT:D TR

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 267MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT47H32M16BN-3 IT:D TR

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,

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MT47H32M16BN-37E:D TR

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MT46V64M8BN-6 L:F TR

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MT47H128M8B7-37E:A

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 267MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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M29F010B70K6F TR

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

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