메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8), 클록 주파수: 50MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms, 5ms,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (128M x 4), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (128M x 4), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 128Mb (32M x 4), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1Tb (128G x 8),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 267MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 267MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 267MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 24Gb (384M x 64), 클록 주파수: 2133MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8), 클록 주파수: 75MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms, 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Gb (64G x 8),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 48Gb (1.5G x 32), 클록 주파수: 1866MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1.125Tb (144G x 8), 클록 주파수: 333MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1.5Tb (192G x 8), 클록 주파수: 333MHz,
