기억

MT48LC16M4A2TG-75:G TR

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부품 재고: 2114

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (16M x 4), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT46V32M8TG-5B:G TR

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부품 재고: 348

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR

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부품 재고: 9510

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 143MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,

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MT46V32M8P-6T:GTR

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부품 재고: 9086

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT47H16M16BG-3:B TR

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부품 재고: 971

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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M29F200BB70N6T TR

M29F200BB70N6T TR

부품 재고: 910

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

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PC28F800C3BD70A

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부품 재고: 8403

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - Boot Block, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

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MT53D1024M32D4BD-053 WT:D

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부품 재고: 43

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (1G x 32), 클록 주파수: 1866MHz,

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MT48LC4M16A2P-75:G TR

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부품 재고: 1484

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT44K64M18RB-107E:A TR

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부품 재고: 1231

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18), 클록 주파수: 933MHz,

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MT46V128M4BN-5B:F TR

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부품 재고: 6620

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (128M x 4), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT46V16M16FG-5B:F TR

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부품 재고: 146

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT47H32M16CC-37E IT:B

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부품 재고: 2850

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 267MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D TR

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (1G x 32), 클록 주파수: 2133MHz,

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MT46V64M4FG-5B:G TR

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부품 재고: 407

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (64M x 4), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P

부품 재고: 7355

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 클록 주파수: 50MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms, 5ms,

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MT46V128M4BN-6:F

MT46V128M4BN-6:F

부품 재고: 6532

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (128M x 4), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT49H16M36SJ-18 IT:B TR

MT49H16M36SJ-18 IT:B TR

부품 재고: 1228

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 576Mb (16M x 36), 클록 주파수: 533MHz,

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MT46V32M16P-6T L:F

MT46V32M16P-6T L:F

부품 재고: 7222

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT46V64M4BG-6:GTR

MT46V64M4BG-6:GTR

부품 재고: 9119

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (64M x 4), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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M29F040B90N6

M29F040B90N6

부품 재고: 8840

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,

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MT46V8M16P-6T:D TR

MT46V8M16P-6T:D TR

부품 재고: 2970

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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M29DW323DB70N6

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부품 재고: 8794

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR

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부품 재고: 699

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 128Gb (16G x 8),

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MT29F4G08BABWP-ET TR

MT29F4G08BABWP-ET TR

부품 재고: 6284

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 4Gb (512M x 8),

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MT46V64M8TG-6T:D TR

MT46V64M8TG-6T:D TR

부품 재고: 839

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT46V64M8P-6T:F TR

MT46V64M8P-6T:F TR

부품 재고: 9205

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR

MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR

부품 재고: 1287

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (512M x 64), 클록 주파수: 1866MHz,

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MT48LC8M8A2TG-75:G TR

MT48LC8M8A2TG-75:G TR

부품 재고: 2039

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (8M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT48LC2M32B2TG-7:G TR

MT48LC2M32B2TG-7:G TR

부품 재고: 1263

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 143MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,

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MTFC64GAKAEYF-4M IT TR

MTFC64GAKAEYF-4M IT TR

부품 재고: 104

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Gb (64G x 8),

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MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

부품 재고: 1431

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT48V8M32LFB5-8 IT TR

MT48V8M32LFB5-8 IT TR

부품 재고: 2018

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPSDR, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 125MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR

MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR

부품 재고: 1176

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D

부품 재고: 132

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (1G x 32), 클록 주파수: 2133MHz,

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MT46V32M16FN-6 IT:F TR

MT46V32M16FN-6 IT:F TR

부품 재고: 7155

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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