기억

JS28F640P30B85A

JS28F640P30B85A

부품 재고: 9569

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 40MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns,

위시리스트
MT48LC2M32B2P-7:G TR

MT48LC2M32B2P-7:G TR

부품 재고: 1268

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 143MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,

위시리스트
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR

MT45W4MW16BCGB-708 WT TR

부품 재고: 6181

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
MT46V16M8P-6TL:DTR

MT46V16M8P-6TL:DTR

부품 재고: 8963

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT48LC32M8A2FB-7E:D TR

MT48LC32M8A2FB-7E:D TR

부품 재고: 1415

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,

위시리스트
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D

MT53D1024M32D4DT-053 WT:D

부품 재고: 51

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (1G x 32), 클록 주파수: 1866MHz,

위시리스트
MT29F4G16BABWP TR

MT29F4G16BABWP TR

부품 재고: 6096

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 4Gb (256M x 16),

위시리스트
MT46V64M8P-6T L:F TR

MT46V64M8P-6T L:F TR

부품 재고: 8229

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT46V128M8P-75:A

MT46V128M8P-75:A

부품 재고: 6763

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT
위시리스트
TE28F320C3TD70A

TE28F320C3TD70A

부품 재고: 4785

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - Boot Block, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
MT46V64M8P-6T L:F

MT46V64M8P-6T L:F

부품 재고: 8193

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

부품 재고: 101

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (512M x 64), 클록 주파수: 1866MHz,

위시리스트
M28W320CB90N6

M28W320CB90N6

부품 재고: 8760

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,

위시리스트
MT46V64M16P-6T:A

MT46V64M16P-6T:A

부품 재고: 7932

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT46V32M16TG-6T IT:F

MT46V32M16TG-6T IT:F

부품 재고: 7525

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT46H8M16LFCF-10 IT TR

MT46H8M16LFCF-10 IT TR

부품 재고: 6446

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 104MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT48LC2M32B2P-6:G TR

MT48LC2M32B2P-6:G TR

부품 재고: 1201

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,

위시리스트
MTFC64GAJAEDQ-AIT TR

MTFC64GAJAEDQ-AIT TR

부품 재고: 40

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Gb (64G x 8),

위시리스트
MT48LC4M16A2P-7E:G TR

MT48LC4M16A2P-7E:G TR

부품 재고: 1547

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,

위시리스트
MT46V16M16P-5B:F TR

MT46V16M16P-5B:F TR

부품 재고: 9247

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT45W4MW16BBB-708 WT TR

MT45W4MW16BBB-708 WT TR

부품 재고: 167

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
MT45W4MW16BCGB-701 WT

MT45W4MW16BCGB-701 WT

부품 재고: 6291

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
MT47H64M8CB-25:B

MT47H64M8CB-25:B

부품 재고: 8591

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT46V32M8BG-5B:GTR

MT46V32M8BG-5B:GTR

부품 재고: 8985

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT46V32M8TG-6T IT:G TR

MT46V32M8TG-6T IT:G TR

부품 재고: 298

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
JS28F256P30B95A

JS28F256P30B95A

부품 재고: 9541

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 40MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns,

위시리스트
MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR

MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR

부품 재고: 1175

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
MT48LC4M16A2TG-7E:G TR

MT48LC4M16A2TG-7E:G TR

부품 재고: 1578

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,

위시리스트
MT48LC32M8A2TG-75:D TR

MT48LC32M8A2TG-75:D TR

부품 재고: 1476

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
M29W320ET70N6E

M29W320ET70N6E

부품 재고: 37481

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
MT48LC4M32B2P-6:G TR

MT48LC4M32B2P-6:G TR

부품 재고: 9474

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 167MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,

위시리스트
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A

MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A

부품 재고: 59

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 2Tb (256G x 8), 클록 주파수: 333MHz,

위시리스트
MT29F2G08AABWP TR

MT29F2G08AABWP TR

부품 재고: 5950

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8),

위시리스트
NAND512W4A0AN6E

NAND512W4A0AN6E

부품 재고: 7717

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns,

위시리스트