다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 2A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 2A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 9A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 9A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 50A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.15V @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 243ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 6A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 200A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.7V @ 200A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 360ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 12A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 12A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 4A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 120A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2V @ 75A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 121ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 6A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 40A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 40A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 15A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 15A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 12A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 12A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V, 전류-평균 정류 (Io): 1050A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1000A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 27A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 12A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 150A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.7V @ 150A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 355ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.3V @ 15A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 47ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V, 전류-평균 정류 (Io): 1050A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1000A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 41A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 16A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.95V @ 16A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
