다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 12A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 3A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 3A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 4A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 2A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 2A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 4A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.3V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.3V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 3A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.3V @ 3A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 3A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 3A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 6A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 30A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 30A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 12A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 12A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 9A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 9A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 4A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 20A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 16A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 16A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 16A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 60A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 64ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 4500V, 전류-평균 정류 (Io): 1140A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 6V @ 2500A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
