FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 3.3µA @ 1200V, 전류 드레인 (Id)-최대: 35A,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5µA @ 1200V, 전류 드레인 (Id)-최대: 26A,
