다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 4500V, 전류-평균 정류 (Io): 2900A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 9000V, 전류-평균 정류 (Io): 1790A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 5.5V @ 4000A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 4500V, 전류-평균 정류 (Io): 2380A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.5V @ 2500A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 8500V, 전류-평균 정류 (Io): 3040A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 71A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2V @ 45A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 140ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 4A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 100A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.7V @ 100A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 270ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 16A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 16A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.7V @ 10A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 154ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 42A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.1V @ 40A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 76ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 80A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.3V @ 40A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 75ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.95V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 2A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 2A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 20A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 12A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 12A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 75A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.7V @ 75A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 285ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 25A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.7V @ 25A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 190ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.7V @ 5A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 96ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 8A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.3V @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 40ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 4A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.9V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 3A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 3A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,