다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 150V, 전류-최대: 200mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 8V, 전류-최대: 130mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, 저항 @ If, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, 전력 손실 (최대): 150mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Common Anode, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 4V, 전류-최대: 110mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz, 저항 @ If, F: 18 Ohm @ 5mA, 1MHz,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 150V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Common Cathode, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Common Anode, 전압-피크 역방향 (최대): 150V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - 2 Independent, 전압-피크 역방향 (최대): 4V, 전류-최대: 110mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 100mW,
다이오드 유형: Schottky - 1 Bridge, 전압-피크 역방향 (최대): 4V, 전류-최대: 110mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 100mW,
다이오드 유형: Schottky - 2 Independent, 전압-피크 역방향 (최대): 4V, 전류-최대: 130mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, 저항 @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz, 전력 손실 (최대): 150mW,
다이오드 유형: Schottky - 2 Independent, 전압-피크 역방향 (최대): 40V, 전류-최대: 20mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 100mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 4V, 전류-최대: 110mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 100mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 40V, 전류-최대: 20mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 100mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 80V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz, 저항 @ If, F: 800 mOhm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 150mW,
다이오드 유형: PIN - 4 Independent, 전압-피크 역방향 (최대): 80V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz, 저항 @ If, F: 800 mOhm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 150mW,
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 4V, 전류-최대: 110mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 100mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 전류-최대: 50mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz, 저항 @ If, F: 7 Ohm @ 10mA, 100MHz,
다이오드 유형: Standard - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 35V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, 저항 @ If, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz,
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Anode, 전압-피크 역방향 (최대): 4V, 전류-최대: 130mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, 저항 @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz, 전력 손실 (최대): 150mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 3V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.85pF @ 0.2V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 100mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 8V, 전류-최대: 130mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, 저항 @ If, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, 전력 손실 (최대): 150mW,
다이오드 유형: Schottky - 3 Independent, 전압-피크 역방향 (최대): 8V, 전류-최대: 130mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, 저항 @ If, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, 전력 손실 (최대): 150mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 4V, 전류-최대: 110mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 100mW,
