코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 5.7µH, 공차: ±25%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 38 x 4 x 25,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 5.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 8 LP,
코어 유형: RM,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±5%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 3.1µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): RM 8 LP,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: E, 갭: T35, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 9.3µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 60.10mm,
코어 유형: Toroid, 갭: T65,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.87µH, 공차: ±25%, 갭: T35, 유효 투과성 (µe): 17.20mm,
코어 유형: Toroid, 갭: N72,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: RM, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 8.8µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 39.40mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.76µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 10.00mm, 초기 투자율 (µi): R 10 x 6 x 4,
