코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 13.5µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 37.50mm,
코어 유형: ER, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ER 46 x 17 x 18,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6 LP,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6 LP,
코어 유형: I, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): I 93 x 28 x 30,
코어 유형: RM, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 3.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 7 LP,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): RM 6 LP,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 12.3µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T66, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: EC, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EC 52 x 24 x 14,
코어 유형: ER, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ER 42 x 22 x 15,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 7 LP,
코어 유형: E, 인덕턴스 계수 (Al): 1.3µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: EV, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): EV 15 x 9 x 7,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 3µH, 공차: ±25%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: EV, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EV 15 x 9 x 7,
코어 유형: EV, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): EV 15 x 9 x 7,
코어 유형: E, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: RM, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): RM 6 LP,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 2.1µH, 공차: ±25%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: RM, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 10.5µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): RM 6 LP,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
