코어 유형: EP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 7,
갭: N87, 유효 투과성 (µe): 41.00mm, 초기 투자율 (µi): P 41 x 25,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 13.9µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 65.30mm,
코어 유형: Toroid, 갭: N48,
갭: K1, 유효 투과성 (µe): 41.00mm, 초기 투자율 (µi): P 41 x 25,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±5%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EPX 7 x 9,
코어 유형: PM, 인덕턴스 계수 (Al): 9.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 62.00mm, 초기 투자율 (µi): PM 62 x 49,
코어 유형: RM,
코어 유형: EP, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±7%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EPX 7 x 9,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 10.5µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T66, 초기 투자율 (µi): EPX 7 x 9,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 200nH, 공차: ±6%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: EPX, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EPX 7 x 9,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±5%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 8µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EPX 9 x 9,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 600nH, 공차: ±25%, 갭: K10, 유효 투과성 (µe): 68.00mm, 초기 투자율 (µi): R 68 x 40 x 13,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 13.9µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 63.00mm, 초기 투자율 (µi): R 63 x 38 x 25,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±5%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 2.6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EPX 7 x 9,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: T65, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±5%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.28µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 89.30mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 41.00mm, 초기 투자율 (µi): P 41 x 25,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.09µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 6.30mm, 초기 투자율 (µi): R 6.3 x 3.8 x 2.5,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 9µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EPX 7 x 9,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 2.4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EPX 9 x 9,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 40nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 900nH, 공차: ±25%, 갭: K10, 유효 투과성 (µe): 87.00mm, 초기 투자율 (µi): R 87 x 54.3 x 13.5,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 36.00mm, 초기 투자율 (µi): P 36 x 22,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±7%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: RM, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 4,
