코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 7µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 40.00mm, 초기 투자율 (µi): R 40 x 24 x 16,
코어 유형: Toroid, 갭: N48,
코어 유형: Toroid, 갭: N95,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 38 x 4 x 25,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.47µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 3.94mm, 초기 투자율 (µi): R 3.94 x 2.24 x 1.3,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.5µH, 공차: ±25%, 갭: K10, 유효 투과성 (µe): 58.30mm, 초기 투자율 (µi): R 58.3 x 32 x 18,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.5µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 102.00mm, 초기 투자율 (µi): R 102 x 65.8 x 15,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 1.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 5,
코어 유형: ELP, 갭: PC200,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: Multi-Hole (2), 인덕턴스 계수 (Al): 1.6µH, 공차: ±30%, 갭: N30,
코어 유형: RM,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 8.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 50,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 430nH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): RM 5 LP,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 6.7µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: Multi-Hole (2), 인덕턴스 계수 (Al): 7.3µH, 공차: ±30%, 갭: N30,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 9.6µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T66, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 25nH, 공차: ±3%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 5,
코어 유형: RM, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 5,
