메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 167MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 80MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 8Gb (1G x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
