RFID 트랜스 폰더, 태그

HTMS8201FTB/AF,115

HTMS8201FTB/AF,115

부품 재고: 141497

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1.76kb (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,

위시리스트에게
HTMS1001FUG/AM,026

HTMS1001FUG/AM,026

부품 재고: 728

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1.76kb (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,

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HTMS8301FUG/AM,005

HTMS8301FUG/AM,005

부품 재고: 750

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write,

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HTMS1301FUG/AM,005

HTMS1301FUG/AM,005

부품 재고: 686

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write,

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RI-TRP-R9UR

RI-TRP-R9UR

부품 재고: 737

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only, 기준: ISO 11784, ISO 11785,

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RF-HDT-DVBB-N1

RF-HDT-DVBB-N1

부품 재고: 753

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,

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RI-I02-114B-S1

RI-I02-114B-S1

부품 재고: 689

스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,

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RI-TRP-W9UR-30

RI-TRP-W9UR-30

부품 재고: 747

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 80b (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,

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RI-TRP-V9WK-00

RI-TRP-V9WK-00

부품 재고: 80

스타일: Encapsulated, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only,

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RI-TRP-0106-30

RI-TRP-0106-30

부품 재고: 725

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only,

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WRL-14147

WRL-14147

부품 재고: 48871

스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 512b (User), 기준: ISO 18000-6,

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SPS1M001A-02

SPS1M001A-02

부품 재고: 4368

스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 902MHz ~ 928MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,

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SPS1M001A-09

SPS1M001A-09

부품 재고: 4356

스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 902MHz ~ 928MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,

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LXMSAPHA08-136

LXMSAPHA08-136

부품 재고: 41846

스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 896b (User), 기준: ISO 15693,

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LXMSAPHA17-176

LXMSAPHA17-176

부품 재고: 39703

스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 144B (User), 기준: ISO 14443, NFC,

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TK5561A-PP

TK5561A-PP

부품 재고: 724

스타일: Encapsulated, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 320b (User),

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TK5530HM-232-PP

TK5530HM-232-PP

부품 재고: 753

스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (User),

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LRI2K-SBN18/1GE

LRI2K-SBN18/1GE

부품 재고: 101914

스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,

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V600-D23P72

V600-D23P72

부품 재고: 1048

스타일: Card, 과학 기술: Passive, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 254kB (User),

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