스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: EPC, ISO 18000-6,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 96b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 8kB (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Key Fob, 회수: 125kHz,
스타일: Card, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 8kB (User),
스타일: Key Fob, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1kB (User),
스타일: Coin, 과학 기술: Passive, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read Only,
과학 기술: Passive, 회수: 125kHz,
스타일: Key Fob, 과학 기술: Active, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read Only,
스타일: Glass Encapsulated, 과학 기술: Active, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read Only,
스타일: Coin, 과학 기술: Passive, 회수: 125kHz,
스타일: Card, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read/Write,
스타일: Coin, 회수: 125kHz,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 512b (EPC), 기준: EPC,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 512b (EPC), 기준: EPC,