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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 8kB (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 4kb (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 472b (User), 기준: ISO 14443A,
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스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 902MHz ~ 928MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 512b (User), 기준: ISO 18000-6, EPC,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 902MHz ~ 928MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 512b (User), 기준: EPC, ISO 18000-6,
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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 902MHz ~ 928MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,
