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스타일: Glass Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 80b (User),
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회수: 13.56MHz,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Card, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 80b (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Key Fob, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only, 기준: ISO 11784, ISO 11785,
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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 256b (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Glass Encapsulated, 메모리 유형: Read Only,
스타일: Glass Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 80b (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 384b (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 865MHz ~ 955MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 512b (User),
과학 기술: Passive,
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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 866MHz ~ 870MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: ISO 18000-6C, EPC,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 868MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,
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스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 8kB (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Key Fob, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1kB (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
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