스타일: Key Fob, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1kB (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Card, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1kB (User), 기준: ISO 14443,
회수: 13.56MHz,
스타일: Glass Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 80b (User),
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Glass Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 쓰기 가능한 메모리: 1.36kb (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Glass Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only, 기준: ISO 11784, ISO 11785,
메모리 유형: Read/Write,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 256b (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Key Fob, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 기준: ISO 15693,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 80b (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 기준: EPC, ISO 18000-6C,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 254kB (User),
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 8.2kB (User),
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1kB (User),
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 512b (User), 기준: EPC,
스타일: Coin, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1kB (User),
과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1.76kb (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Coin, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1kB (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 865MHz ~ 920MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 512b (User),