코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 41.65mm, 초기 투자율 (µi): TX 40 x 24 x 16,
코어 유형: PQ, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PQ 26 x 20,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 57.50mm, 초기 투자율 (µi): TX 55 x 32 x 18,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: 3F46, 유효 투과성 (µe): 36.20mm, 초기 투자율 (µi): P 36 x 22,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 13.35mm, 초기 투자율 (µi): TX 13 x 7.9 x 6.4,
코어 유형: EFD, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: 3C91, 유효 투과성 (µe): 66.29mm, 초기 투자율 (µi): P 66 x 56,
코어 유형: ROD, 유효 투과성 (µe): 3.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 3 x 15,
코어 유형: PLT, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PLT 38 x 25 x 3.8,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 16.13mm, 초기 투자율 (µi): TX 16 x 9.1 x 4.7,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 16.13mm, 초기 투자율 (µi): TX 16 x 9.1 x 4.7,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 유효 투과성 (µe): 32.55mm, 초기 투자율 (µi): TX 32 x 19 x 13,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 39.80mm, 초기 투자율 (µi): TX 39 x 20 x 13,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 80 x 38 x 20,
코어 유형: PLT, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): PLT 43 x 28 x 4.1,
코어 유형: PQ, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PQ 35 x 20,
코어 유형: U, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): U 67 x 27 x 14,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±5%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 3.6 x 13,
코어 유형: UR,
코어 유형: UR, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): UR 59 x 36 x 17,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 22.35mm, 초기 투자율 (µi): TX 22 x 14 x 13,
코어 유형: ER, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ER 64 x 13 x 51,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±4%, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 2.5 x 6,
코어 유형: P, 인덕턴스 계수 (Al): 6.5µH, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 30.00mm, 초기 투자율 (µi): P 30 x 19,
코어 유형: EQ, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): EQ 30,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 20,
