트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NVMFD5875NLT3G

NVMFD5875NLT3G

부품 재고: 175639

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
NVMFD5873NLT1G

NVMFD5873NLT1G

부품 재고: 73807

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
FDS9958-F085

FDS9958-F085

부품 재고: 26954

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
FDS8858CZ

FDS8858CZ

부품 재고: 153147

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A, 7.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
ECH8660-TL-H

ECH8660-TL-H

부품 재고: 177854

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

위시리스트에게
IRF7905TRPBF

IRF7905TRPBF

부품 재고: 187870

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, 8.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA,

위시리스트에게
IPG20N06S2L50AATMA1

IPG20N06S2L50AATMA1

부품 재고: 140292

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 19µA,

위시리스트에게
IRF9358TRPBF

IRF9358TRPBF

부품 재고: 160762

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA,

위시리스트에게
IPG16N10S461ATMA1

IPG16N10S461ATMA1

부품 재고: 100256

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 9µA,

위시리스트에게
IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF

부품 재고: 191314

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA,

위시리스트에게
IPG20N04S4L11AATMA1

IPG20N04S4L11AATMA1

부품 재고: 165940

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 15µA,

위시리스트에게
STS1DNC45

STS1DNC45

부품 재고: 85375

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA,

위시리스트에게
STS8DNF3LL

STS8DNF3LL

부품 재고: 136676

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
SIA922EDJ-T1-GE3

SIA922EDJ-T1-GE3

부품 재고: 104410

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

위시리스트에게
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

부품 재고: 125202

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3

부품 재고: 141603

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

부품 재고: 163985

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

부품 재고: 108168

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

위시리스트에게
SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

부품 재고: 97121

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

위시리스트에게
SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

부품 재고: 102448

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3

부품 재고: 154777

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
SI5936DU-T1-GE3

SI5936DU-T1-GE3

부품 재고: 193614

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3

부품 재고: 121434

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
PMCXB1000UEZ

PMCXB1000UEZ

부품 재고: 169010

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA (Ta), 410mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,

위시리스트에게
SH8M24TB1

SH8M24TB1

부품 재고: 112720

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게
UM6J1NTN

UM6J1NTN

부품 재고: 145064

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게
QS8J13TR

QS8J13TR

부품 재고: 157844

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

위시리스트에게
SH8M11TB1

SH8M11TB1

부품 재고: 138257

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게
EM6K34T2CR

EM6K34T2CR

부품 재고: 122186

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 0.9V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA,

위시리스트에게
ZDM4306NTA

ZDM4306NTA

부품 재고: 2658

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA,

위시리스트에게
DMC1018UPD-13

DMC1018UPD-13

부품 재고: 180420

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 6.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
ZXMD63P02XTA

ZXMD63P02XTA

부품 재고: 110973

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

위시리스트에게
DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B

부품 재고: 21525

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 455mA (Ta), 328mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
CSD87353Q5D

CSD87353Q5D

부품 재고: 60491

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

위시리스트에게
CSD87352Q5D

CSD87352Q5D

부품 재고: 98681

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA,

위시리스트에게
SSM6N35FE,LM

SSM6N35FE,LM

부품 재고: 102707

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

위시리스트에게