FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, 350mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 9.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 935µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA,
