트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 주파수-전환: 550MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, 이득: 23dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 12dB ~ 17dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, 이득: 7.5dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 11.5dB, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 6.5GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, 이득: 10dB, 전력-최대: 1.2W,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 5V, 주파수-전환: 20GHz, 이득: 12dB, 전력-최대: 735mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 6V, 주파수-전환: 12GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, 이득: 13dB, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 6V, 주파수-전환: 12GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, 이득: 13.5dB, 전력-최대: 205mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, 이득: 12dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz, 이득: 10dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, 이득: 12dB, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, 이득: 12dB, 전력-최대: 100mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 6.7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 9dB, 전력-최대: 800mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 6GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, 이득: 11dB ~ 14dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 8V, 주파수-전환: 1.1GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 6GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, 이득: 11dB ~ 14dB, 전력-최대: 125mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 주파수-전환: 250MHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 6GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz, 이득: 13dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: PNP, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 300MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, 전력-최대: 125mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 230MHz, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 300MHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 6V, 주파수-전환: 800MHz, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 1.2GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, 전력-최대: 1W,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 900MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, 전력-최대: 625mW,
전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 40V, 주파수-전환: 2.3GHz ~ 2.4GHz, 이득: 7dB, 전력-최대: 58W,
주파수-전환: 2.7GHz ~ 3.1GHz, 이득: 8.7dB,
트랜지스터 유형: PNP, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, 이득: 25dB, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, 이득: 21dB, 전력-최대: 200mW,