트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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부품 재고: 7197

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트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, 이득: 9dB ~ 15.5dB, 전력-최대: 225mW,

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트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 5.5V, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz, 이득: 9dB ~ 11dB, 전력-최대: 150mW,

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트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, 이득: 8dB ~ 17dB, 전력-최대: 500mW,

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부품 재고: 7226

트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, 이득: 9dB ~ 18dB, 전력-최대: 500mW,

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트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 5.5V, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, 이득: 11dB ~ 12.5dB, 전력-최대: 200mW,

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부품 재고: 7151

트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, 이득: 9dB ~ 14.5dB, 전력-최대: 225mW,

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AT-42086-TR2G

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부품 재고: 7193

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