| 유형 | 기술 |
| 부품 상태 | Active |
|---|---|
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
| 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 5mA |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 51nC @ 15V |
| Vgs (최대) | +15V, -4V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 113.6W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-263-7 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| RoHS 현황 | RoHS 준수 |
|---|---|
| 습기 감도 수준 (MSL) | 해당 사항 없음 |
| 라이프 사이클 상태 | 쓸모없는 / 삶의 끝 |
| 재고 범주 | 사용 가능 재고 |
