커패시턴스 @ Vr, F: 2.25pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.055pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 16, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.89pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 22, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.92pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 11, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.8pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 13.8pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
