커패시턴스 @ Vr, F: 46.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.75, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 18V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.25pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 14.8pF @ 4.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C5, 전압-피크 역방향 (최대): 18V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 2pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 8.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.92pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 11, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.754pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.225pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10.9, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.89pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 22, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 11.2pF @ 2.3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.2/C2.3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.13pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 13V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.22pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10.9, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.25pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.18pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.25pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10.9, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
