트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz ~ 2.17GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.03GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.62GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.66GHz, 이득: 14.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 18.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.5GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz ~ 1.88GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 25.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 1.88GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
