트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.51GHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz ~ 1.88GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10.8dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.5GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.16GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 1.88GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 465MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 28V,
