트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.14GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.98GHz ~ 2.01GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 15.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 17A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.16GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.03GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 26V,
