FET 유형: 4 P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 3mA (Typ),
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 113A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 10mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 112A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 3mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 337A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 9mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 337A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 9mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 2mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 148A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 4mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ),
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
