트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

APTM20DHM20TG

부품 재고: 2966

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120TA57FPG

부품 재고: 3311

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC80DSK15T3G

부품 재고: 2936

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,

APTMC60TLM55CT3AG

부품 재고: 222

FET 유형: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTMC120AM16CD3AG

부품 재고: 166

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 131A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ),

APTMC60TL11CT3AG

부품 재고: 420

FET 유형: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA,

APTC90AM60SCTG

부품 재고: 647

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12SCTG

부품 재고: 686

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC60DSKM70CT1G

부품 재고: 2914

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60DDAM70CT1G

부품 재고: 3376

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTML502UM90R020T3AG

부품 재고: 2888

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTC60DDAM45CT1G

부품 재고: 2940

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTML102UM09R004T3AG

부품 재고: 2898

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 154A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML202UM18R010T3AG

부품 재고: 2939

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 109A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

부품 재고: 3301

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

부품 재고: 3350

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

부품 재고: 2866

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

부품 재고: 2896

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

부품 재고: 293

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

부품 재고: 1142

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

부품 재고: 2917

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

부품 재고: 2886

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

부품 재고: 2885

FET 유형: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

부품 재고: 2935

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

부품 재고: 2862

FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

부품 재고: 2932

FET 유형: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

부품 재고: 1136

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

부품 재고: 424

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

부품 재고: 666

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

부품 재고: 2898

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

부품 재고: 5403

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

부품 재고: 2849

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTJC120AM13VCT1AG

부품 재고: 2840

APTM60A23FT1G

부품 재고: 2807

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,

APTM50TDUM65PG

부품 재고: 3356

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DUM38TG

부품 재고: 2789

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,