트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

APTC60TDUM35PG

부품 재고: 688

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

APTM10AM05FTG

부품 재고: 820

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA,

APTC60HM70RT3G

부품 재고: 1479

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60HM45T1G

부품 재고: 1300

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC80TA15PG

부품 재고: 1022

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,

APTC80H29T3G

부품 재고: 2362

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA,

APTM50HM75SCTG

부품 재고: 667

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTMC120AM20CT1AG

부품 재고: 173

FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),

APTM120A20DG

부품 재고: 538

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM45T1G

부품 재고: 293

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTMC120TAM34CT3AG

부품 재고: 251

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 15mA,

APTM50DDAM65T3G

부품 재고: 1269

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC60DDAM24T3G

부품 재고: 1114

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,

APTM10DSKM19T3G

부품 재고: 1965

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

APTM20AM06SG

부품 재고: 553

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60DDAM45T1G

부품 재고: 1722

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTM100H18FG

부품 재고: 404

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,

APTM100H35FT3G

부품 재고: 784

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM20TAM16FPG

부품 재고: 537

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM20AM08FTG

부품 재고: 774

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,

APTC80A15SCTG

부품 재고: 987

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,

APTM10DHM05G

부품 재고: 750

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA,

APTM50HM75STG

부품 재고: 723

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM20AM04FG

부품 재고: 346

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,

APTC60AM18SCG

부품 재고: 415

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 4mA,

APTM100A13SG

부품 재고: 445

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,

APTM50AM24SG

부품 재고: 446

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,

APTMC120AM55CT1AG

부품 재고: 412

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTM120H57FTG

부품 재고: 3119

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DHM35G

부품 재고: 3087

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,

APTMC120HRM40CT3AG

부품 재고: 3001

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 12.5mA,

APTC60DSKM45CT1G

부품 재고: 2944

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTM20DHM16T3G

부품 재고: 2948

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM100VDA35T3G

부품 재고: 3387

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTJC120AM25VCT1AG

부품 재고: 3378

APTMC120HR11CT3AG

부품 재고: 2997

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 5mA,