메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 256Gb (32G x 8),
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 52MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 16Gb (512M x 32), 클록 주파수: 1600MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1Tb (128G x 8), 클록 주파수: 333MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 768Gb (96G x 8), 클록 주파수: 333MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 16Gb (512M x 32), 클록 주파수: 1866MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 288Mb (16M x 18), 클록 주파수: 400MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 16Gb (256M x 64), 클록 주파수: 2133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 24Gb (768M x 32), 클록 주파수: 1600MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 576Mb (16M x 36), 클록 주파수: 400MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 576Mb (32M x 18), 클록 주파수: 933MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 576Mb (16M x 36), 클록 주파수: 1067MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 32Gb (4G x 8), 클록 주파수: 100MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 143MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: SGRAM - GDDR5, 메모리 크기: 8Gb (256M x 32), 클록 주파수: 1.5GHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3, 메모리 크기: 24Gb (768M x 32), 클록 주파수: 933MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 16Gb (256M x 64), 클록 주파수: 1600MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 24Gb (384M x 64), 클록 주파수: 1866MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR4, 메모리 크기: 16Gb (2G x 8), 클록 주파수: 1.2GHz,
