FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 12A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,
