트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

BSG0811NDATMA1

부품 재고: 73789

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 41A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSG0813NDIATMA1

부품 재고: 73114

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 33A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSC0910NDIATMA1

부품 재고: 78348

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, 31A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSO303PHXUMA1

부품 재고: 2618

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA,

BSO203PHXUMA1

부품 재고: 105084

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 100µA,

BSC0921NDIATMA1

부품 재고: 108715

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 31A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSC750N10NDGATMA1

부품 재고: 2515

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12µA,

BSC0993NDATMA1

부품 재고: 133898

FET 유형: 2 N-Channel, FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSC072N03LDGATMA1

부품 재고: 2560

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

BSZ0910NDXTMA1

부품 재고: 2500

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 25A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSZ0909NDXTMA1

부품 재고: 154990

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSZ215CHXTMA1

부품 재고: 143103

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 110µA,

BSC0923NDIATMA1

부품 재고: 151164

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 32A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSC0924NDIATMA1

부품 재고: 152816

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 32A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSO604NS2XUMA1

부품 재고: 154962

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA,

BSO207PHXUMA1

부품 재고: 161068

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 44µA,

BSO211PHXUMA1

부품 재고: 164134

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 25µA,

BSO615CGHUMA1

부품 재고: 2523

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA,

BSO612CVGHUMA1

부품 재고: 171470

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA,

BSZ15DC02KDHXTMA1

부품 재고: 166896

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 110µA,

BSD840NH6327XTSA1

부품 재고: 124088

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 880mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 1.6µA,

BSC0925NDATMA1

부품 재고: 145035

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSL308PEH6327XTSA1

부품 재고: 149358

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 11µA,

BSL306NH6327XTSA1

부품 재고: 118173

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA,

BSL215CH6327XTSA1

부품 재고: 146349

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,

BSL207NH6327XTSA1

부품 재고: 152011

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA,

BSL314PEH6327XTSA1

부품 재고: 198370

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA,

BSL205NH6327XTSA1

부품 재고: 102698

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA,

BSL806NH6327XTSA1

부품 재고: 103295

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 11µA,

BSL214NH6327XTSA1

부품 재고: 161005

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,

BSL316CH6327XTSA1

부품 재고: 148518

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA,

BSD235CH6327XTSA1

부품 재고: 113505

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA, 530mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

BSD340NH6327XTSA1

부품 재고: 125807

BSD223PH6327XTSA1

부품 재고: 154052

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA,

FF23MR12W1M1B11BOMA1

부품 재고: 163

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 50A, 15V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 20mA,

IRF7342PBF

부품 재고: 59591

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,