커패시턴스 @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 17.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 14.7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.2pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 11, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 9.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.9pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 12.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 4.7V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10.9, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 12.1pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 22.7pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.25, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 18V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.3pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 25, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 28V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 600 @ 25V, 200MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 13.5pF @ 4.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.41, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 12, 커패시턴스 비율 조건: C1/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 12.7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
