커패시턴스 @ Vr, F: 13.5pF @ 4.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.41, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 19.75pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.42, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 18V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 13pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 18V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.2pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 11, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 14.7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 9.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 12.1pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 7V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 47.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.71, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 18V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 23.2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 17.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 7V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.45pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.1, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 7V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 12.7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Anode,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
