코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 2.15µH, 공차: ±25%, 갭: 3F46, 유효 투과성 (µe): 25.50mm, 초기 투자율 (µi): P 26 x 16,
코어 유형: I, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): I 93 x 28 x 30,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 34 x 14 x 9,
코어 유형: RM, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: ETD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 47 x 20 x 16,
코어 유형: ER, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 3.6 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C11, 유효 투과성 (µe): 107.40mm, 초기 투자율 (µi): TX 107 x 65 x 18,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: EFD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 102.40mm,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: U, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): U 25 x 20 x 13,
코어 유형: EFD, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: ER, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 51 x 10 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 42 x 33 x 20,
코어 유형: PLT, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PLT 18 x 10 x 2,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±7%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 3.6 x 13,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 29.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 29 x 19 x 15,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: U, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): U 67 x 27 x 14,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C11, 유효 투과성 (µe): 140.40mm, 초기 투자율 (µi): TX 140 x 106 x 25,
인덕턴스 계수 (Al): 5.34µH, 공차: ±25%, 갭: 3C94,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
